Nanodrähte für Bolometeranwendungen
Bolometric nanowires
Wissenschaftsdisziplinen
Nanotechnologie (75%); Physik, Astronomie (25%)
Keywords
-
Nanowires,
Germanium (Ge),
Bolometer,
Electronic transport,
Temperature dependence
Das Ziel dieses Projekts ist die Untersuchung der thermischen und elektrischen Eigenschaftenvon Ge-Nanodrähten in Bolometer-Anwendungenfür schnelle und empfindliche Infrarot Detektoren. Per Definition, besteht ein Bolometer aus einem absorbierendem Element, das durch eine thermische Brücke an ein Temperaturreservoir angekoppelt ist und einem Thermometer. Jede einfallende Strahlung, welche die Temperatur des Absorbers proportional zur einfallenden Intensität erhöht wird mit einem Thermistor gemessen. Alternativ dazu kann auch der temperaturabhängige Widerstand des Absorbers als Thermometer verwendet werden. Ge-Nanodrähte, und besonders horizontal zwischen zwei elektrischen Kontakten gewachsene Nanodrähte, sind nach obigen Definitionen natürliche und perfekte Bausteine für Bolometer-Anwendungen. Sie haben eine extreme kleine Masse, und den gleichen, stark temperaturabhängigen Widerstand wie Ge-Kristalle. Bolometer aus Nanodrähten sollten daher viel schneller sein als herkömmliche Bolometer und sich damit besonders für Infrarotkameras eignen. Die elektrischen Kontakte sind Teil des Substrats und dienen damit automatisch als Temperaturreservoir. Als weiterer Vorteil kann die thermische Leitfähigkeit zwischen den Kontakten und den Drähten zum Beispiel durch den Drahtdurchmesser oder durch künstliche Verengungen gesteuert werden. In diesem Projekt interessieren wir uns für diethermischen und elektrischen Eigenschaften von Ge-Nanodrähten um ihre prinzipiellen Vorteile für schnelle und empfindliche Infrarot Detektoren zu untersuchen. Dabei geht es zum Beispiel um die Empfindlichkeit der Nanodrähte in Abhängigkeit verschiedener technologischer Faktoren, wie zum Beispiel den Drahtdurchmesser, die Länge oder die Dotierung. Mit Dielektrika überwachsene Nanodrähte sollen ebenfalls elektrisch untersucht werden, da man hier einen Einfluss auf den Störstellentransport erwarten kann. Im Idealfall sollte sich so die Temperaturempfindlichkeit und die Photoleitungseigenschaften beeinflussen lassen. Die Verwendung zusätzlicher Infrarotabsorber zur Steigerung der Empfindlichkeit soll ebenfalls studiert werden. Schließlich sollen Detektoren aus einzelnen Nanodrähten und nano-Gras Detektoren untersucht und verglichen werden. Gras-Detektoren sind durch Überwachsen von vorstrukturierten Substraten leicht herzustellen und sollten eine kleinere Impedanz und damit eine größere Geschwindigkeit haben. Zusätzlich kann man eine vernünftige Robustheit erwarten, wodurch Kameraanwendungen in den Bereich des Möglichen rücken.
Die Nachfrage nach kompakteren und mobilen Sensoren erfordert eine immer stärkere Miniaturisierung der Sensorarchitektur. Diese Entwicklung wird auch getrieben, durch die kontinuierliche Verkleinerung moderner integrierter Schaltkreise und der ihnen zugrundeliegenden Transistoren. Diese im sogenannten Moore'schen Gesetz festgeschriebene Entwicklung, resultiert heutzutage in Bauteilstrukturen die als quasi-1D bezeichnet werden können. Die Möglichkeit solche quasi-1D Germaniumnanodrähte als breitbandige Infrarot-Sensoren, basierend auf dem Prinzip eines Bolometers einzusetzen war Ziel dieses Projektes. Bei einem Bolometer wird die Energie der elektromagnetischen Strahlung durch einen Absorber in Wärme umgewandelt und die damit verbundene Temperaturerhöhung mit einem Thermometer detektiert. Im Falle eines Halbleiters als Thermometer, führt diese Erwärmung zu einer Erzeugung von Ladungsträgern und damit zu einer erhöhten Leitfähigkeit. Bei einer konstant angelegten Spannung, ist dies als Anstieg des Stromflusses detektierbar. Derartige Detektoren finden vielseitige Anwendungen in verschiedensten Technologien, unter anderem in der chemischen Analyse, als Sensoren für Wärmebildkameras oder als Sensoren für die Himmelsbeobachtung. Die intrinsischen Eigenschaften von Germaniumnanodrähten eines hohen temperatureabhängigen Wiederstandes und einer sehr kleinen thermischen Masse, machen diese zu einer vielversprechenden Komponente für hochempfindliche Bolometer. Darüber hinaus ermöglicht die einfache Integration von Germanium in Silizium-basierte Schaltungen in Verbindung mit einer Architektur, die modernen Transistoren nahe kommt, die einfache Realisierung eines hochintegrierten IR Detektors. Die im Rahmen dieses Projektes verwendete Struktur, basiert auf einer freitragenden Siliziumnitridmembran, auf welcher einzelenen Germaniumnanodrähte elektrisch kontaktiert sind. Simulationen basierend auf der Finite Elmente Methode, wurden eingesetzt um die ideale Bauteilarchitektur zu bestimmen. Dabei zeigte sich in guter Übereinstimmung mit den experimentellen Untersuchungen das die Geometrie der Membran wesentlich das Ansprechverhalten des Sensors bestimmt. Die Rückseite der Membrane ist mit einem Absorber versehen, welcher unter Infrarotbestrahlung die Membran und in weiterer Folge die Germaniumnanodrähte erhitzt. In einer ersten grundlegenden Charakterisierung wurde der Temperaturkoeffizient des Wiederstandes für Germaniumnanodrähte unterschiedlicher Dotierung und Oberflächenpassivierung im Bereich von 4 K bis 296 K bestimmt. Anschließend wurde das bolometrische Signal über den gesamten Temperaturbereich untersucht. Bei 4 K konnten photonische Effekte in intrinischen und leicht dotiertien Nanowires nachgewiesen werden. Das Bolometer wurde anschließen auf seine Leistungsmerkmale bei Raumtemperatur untersucht wobei sich zeigte das die Leistungsfähigkeit durch eine Parallelschaltung mehrerer Germaniumnanodrähte wesentlich gesteigert werden kann. Für eine solche Parallelisierung haben wir einen Top-Down-Prozess auf der Grundlage einer GeOI-Plattformtechnologie entwickelt, der zu skalierbaren und gut reproduzierbaren Al-Ge-Al Heterostrukturen führte. Solche Strukturen paralle geschalteter Nanodrähte ermöglicht hochminiaturisierten Breitband-Infrarotsensor für ein breites Anwendungsfeld. Diese Al-Ge-Al Heterostrukturen mit atomar abrupten Grenzflächen erwiesen sich darüber hinaus als vielversprechende Materialkombination für weitere Anwendungen, die vom ballistischen Quantentransport über Einzelelektronentransistoren bis hin zu aktiven Plasmonikbauteilen reichen.
- Technische Universität Wien - 100%
- Carsten Ronning, Friedrich Schiller Universität Jena - Deutschland
- Thierry Baron, CEA-CNRS - Frankreich
Research Output
- 245 Zitationen
- 21 Publikationen
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2019
Titel Highly Transparent Contacts to the 1D Hole Gas in Ultrascaled Ge/Si Core/Shell Nanowires DOI 10.1021/acsnano.9b06809 Typ Journal Article Autor Sistani M Journal ACS Nano Seiten 14145-14151 Link Publikation -
2019
Titel Quasi One-Dimensional Metal–Semiconductor Heterostructures DOI 10.1021/acs.nanolett.9b01076 Typ Journal Article Autor Benter S Journal Nano Letters Seiten 3892-3897 Link Publikation -
2021
Titel Verifying the band gap narrowing in tensile strained Ge nanowires by electrical means DOI 10.1088/1361-6528/abd0b2 Typ Journal Article Autor Bartmann M Journal Nanotechnology Seiten 145711 Link Publikation -
2024
Titel Electronic Transport Modulation in Ultrastrained Silicon Nanowire Devices DOI 10.1021/acsami.4c05477 Typ Journal Article Autor Bartmann M Journal ACS Applied Materials & Interfaces Seiten 33789-33795 Link Publikation -
2019
Titel Nanoscale aluminum plasmonic waveguide with monolithically integrated germanium detector DOI 10.1063/1.5115342 Typ Journal Article Autor Sistani M Journal Applied Physics Letters Seiten 161107 Link Publikation -
2020
Titel Spatially resolved thermoelectric effects in operando semiconductor–metal nanowire heterostructures DOI 10.1039/d0nr05504b Typ Journal Article Autor Gächter N Journal Nanoscale Seiten 20590-20597 Link Publikation -
2020
Titel Plasmon-Driven Hot Electron Transfer at Atomically Sharp Metal–Semiconductor Nanojunctions DOI 10.1021/acsphotonics.0c00557 Typ Journal Article Autor Sistani M Journal ACS Photonics Seiten 1642-1648 Link Publikation -
2020
Titel Stimulated Raman Scattering in Ge Nanowires DOI 10.1021/acs.jpcc.0c02602 Typ Journal Article Autor Sistani M Journal The Journal of Physical Chemistry C Seiten 13872-13877 Link Publikation -
2020
Titel Plasmon-Driven Hot Electron Transfer at Atomically Sharp Metal-Semiconductor Nanojunctions DOI 10.48550/arxiv.2006.08385 Typ Preprint Autor Sistani M -
2020
Titel Coulomb blockade in monolithic and monocrystalline Al-Ge-Al nanowire heterostructures DOI 10.1063/1.5126088 Typ Journal Article Autor Sistani M Journal Applied Physics Letters Seiten 013105 Link Publikation -
2018
Titel Electrical characterization and examination of temperature-induced degradation of metastable Ge 0.81 Sn 0.19 nanowires DOI 10.1039/c8nr05296d Typ Journal Article Autor Sistani M Journal Nanoscale Seiten 19443-19449 Link Publikation -
2020
Titel Highly transparent contacts to the 1D hole gas in ultra-scaled Ge/Si core/shell nanowires DOI 10.48550/arxiv.2008.11938 Typ Preprint Autor Sistani M -
2020
Titel Polarity Control in Ge Nanowires by Electronic Surface Doping DOI 10.1021/acs.jpcc.0c05749 Typ Journal Article Autor Sistani M Journal The Journal of Physical Chemistry C Seiten 19858-19863 Link Publikation -
2020
Titel Ge quantum wire memristor DOI 10.1088/1361-6528/aba46b Typ Journal Article Autor Bckle R Journal Nanotechnology Seiten 445204 Link Publikation -
2022
Titel Germanium nanowire microbolometer DOI 10.1088/1361-6528/ac5aec Typ Journal Article Autor Bartmann M Journal Nanotechnology Seiten 245201 Link Publikation -
2021
Titel Monolithic Metal–Semiconductor–Metal Heterostructures Enabling Next-Generation Germanium Nanodevices DOI 10.1021/acsami.1c00502 Typ Journal Article Autor Wind L Journal ACS Applied Materials & Interfaces Seiten 12393-12399 Link Publikation -
2021
Titel Gate-Tunable Negative Differential Resistance in Next-Generation Ge Nanodevices and their Performance Metrics DOI 10.1002/aelm.202001178 Typ Journal Article Autor Böckle R Journal Advanced Electronic Materials Link Publikation -
2021
Titel Polycrystalline Ge Nanosheets Embedded in Metal-Semiconductor Heterostructures Enabling Wafer-Scale 3D Integration of Ge Nanodevices with Self-Aligned Al Contacts DOI 10.1002/aelm.202100101 Typ Journal Article Autor Sistani M Journal Advanced Electronic Materials Link Publikation -
2021
Titel Al–Ge–Al Nanowire Heterostructure: From Single-Hole Quantum Dot to Josephson Effect DOI 10.1002/adma.202101989 Typ Journal Article Autor Delaforce J Journal Advanced Materials Link Publikation -
2021
Titel Plasmon-assisted polarization-sensitive photodetection with tunable polarity for integrated silicon photonic communication systems DOI 10.1088/1361-6528/ac2848 Typ Journal Article Autor Song Z Journal Nanotechnology Seiten 505205 Link Publikation -
2017
Titel Room-Temperature Quantum Ballistic Transport in Monolithic Ultrascaled Al–Ge–Al Nanowire Heterostructures DOI 10.1021/acs.nanolett.7b00425 Typ Journal Article Autor Sistani M Journal Nano Letters Seiten 4556-4561 Link Publikation