Quantenpunkt Nanoprezipitate in Halbleiter-Heterostrukturen
Quantum Dot Nanoprecipitates in Semiconductor Structures
Wissenschaftsdisziplinen
Physik, Astronomie (100%)
Keywords
-
IV-VI Semiconductors,
Quantum Dots,
II-VI Semiconductors,
Nanostructures,
Molecular Beam Epitaxy,
Transmission Electron Microscopy
Epitaktisch kontrollierte Halbleiter-Quantentpunkte sind von herausragendem Interesse für moderne optoelektronische Bauelemente. Dies basierend auf der reduzierten elektronischen Zustandsdichte und der breiten Durchstimmbarkeit der optischen Übergänge durch Modifika-tion von Größe, Form und chemischer Zusammensetzung. In diesem Forschungsprojekt wird eine neuartige Synthesemethode zur Herstellung von Quantenpunkten entwickelt, welche auf der Phasenseparation von nicht mischbaren Halbleitermaterialien in epitaktischen Heterostrukturen beruht. Die damit hergestellten Quantenpunkt-Präzipitate weise heraus-ragende strukturelle und optische Eigenschaften auf, darunter hochsymmetrische Formen, atomar scharfe Grenzflächen, eine vollständige Entmischung zwischen Quantenpunkt- und Matrixmaterial, sowie intensive Infrarot-Emission bei Raumtemperatur. Da die epitaktischen Quantenpunkte kohärent in einkristallines Halbleitermaterial eingebettet sind, ist darüber hinaus eine einfache Integration in Halbleiterbauelemente möglich. Ziel des vorliegenden Forschungsprojektes ist die Weiterentwicklung der neuen Synthese-methode durch Anwendung auf ein breites Spektrum von Materialkombinationen, sowie die Aufklärung der besonderen strukturellen und elektronischen Eigenschaften der Quanten-punkte. Die Arbeiten konzentrieren sich vor allem auf Heterostrukturen aus Halbleitern mit großer Mischbarkeitslücke, welche meist durch Vorliegen verschiedenartiger Kristall-strukturen verursacht wird, was insbesondere auf II-VI Halbleiter mit Zinkblende und IV-VI Halbleiter mit Steinsalzstruktur zutrifft. Zu diesen Modellsystemen werden detaillierte Wachstumsstudien mittels Molekularstrahlepitaxie, in situ Elektronenbeugung sowie Raster-tunnelmikroskopie durchgeführt. Ziel ist es dabei, die Form, Größe und Zusammensetzung der Quantenpunkte gezielt einzustellen. Zur Entwicklung eines fundierten Verständnisses der Kinetik des Präzipitationsprozesses wird vor allem die Rolle der Grenzflächen und elastischen Verspannungen untersucht. Dazu werden in situ und ex situ Temperstudien, sowie Vergleichsuntersuchungen an verschiedenen Materialsystemen durchgeführt. Die strukturellen Eigenschaften werden mittels hochauflösender Transmissionselektronen-mikroskopie und Röntgenbeugung untersucht, um die atomare Konfiguration der verschiedenen Grenzflächen zu bestimmen. Mittels Spektroskopie und Photolumineszenz-messungen werden die elektronischen und optischen Eigenschaften bestimmt und mit theoretischen Rechnungen verglichen. Durch Anwendung auf ein breites Materialspektrum werden Quantenpunktsysteme realisiert die einen großen Spektralbereich abdecken, um damit verschiedenste praktische Bauelementanwendungen erschließen zu können.
Epitaktisch kontrollierte Halbleiter-Nanostrukturen sind von großer Bedeutung für moderne optoelektronische Bauelemente. Dies basierend auf der reduzierten elektronischen Zustandsdichte und der Durchstimmbarkeit der optischen Übergänge durch Größe, Form und chemischer Zusammensetzung. Quantenpunkte sind Nanostrukturen in denen Elektronen in allen drei Raumrichtungen eingesperrt sind. In diesem Forschungsprojekt wurde nunmehr eine neuartige Synthesemethode zur Herstellung von Quantenpunkten entwickelt, welche auf der Phasenseparation von nicht-mischbaren beruht. Die hergestellten Quantenpunkt-Präzipitate weisen eine Reihe von herausragenden Eigenschaften auf, wie zum Beispiel hochsymmetrische Formen, atomar scharfe Grenzflächen, eine vollständige Entmischung zwischen Quantenpunkt- und Matrixmaterial, sowie intensive Lichtemission bei Raumtemperatur. Die Einbettung der Quantenpunkte in ein einkristallines Halbleitermaterial erlaubt darüber hinaus ihre monolithische Integration in optoelektronische Halbleiterbauelemente. Die neue Herstellungsmethode wurde im Rahmen des Projektes auf verschiedene Materialsysteme angewandt, bestehend aus IV-VI Halbleiterverbindungen wie PbTe und PbSe, sowie II-VI Halbleitern wie CdTe und ZnTe. Auf Grund der unterschiedlichen Kristallstruktur besteht zwischen den zwei Materialklassen eine große Mischbarkeitslücke womit die notwendigen Bedingungen für die Phasenseparation in idealer Weise erfüllt ist. Durch Optimierung der Wachstums- und Temperbedingungen konnte eine sehr gute Kontrolle und Einstellbarkeit der Größe und Form der Quantenpunkte erzielt werden. Diese weisen eine sehr hohe Lumineszenz, d.h., Lichtemission bei Anregung, über einen großen Spektralbereich von 1.3 bis 1.6 m Wellenlänge auf. Mittels detaillierter in situ Transmissionselektronenmikroskopie-Untersuchungen, sowie atomistischen Monte Carlo Simulationen und Kontinuums-Modellen konnte die Dynamik und kinetischen Parameter des Bildungsprozesses ermittelt werden, womit ein umfassendes Verständnis erzielt wurde. Basierend auf der starken Emission der Quantenpunkte wurden infrarot Bauelemente wie Leuchtdioden und Laser mit Emissionswellenlängen im 2 bis 5 m Bereich demonstriert. Diese Bauelemente sind für den Nachweis von molekularen Gasen für die Umweltanalytik und Emission von Treibhausgasen, für medizinische Diagnostik sowie der industriellen Prozessüberwachung einsetzbar.
- Universität Linz - 100%
Research Output
- 167 Zitationen
- 8 Publikationen
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2012
Titel Molecular Beam Epitaxy of IV-VI Semiconductors: Multilayers, Quantum Dots and Device Applications. Typ Book Chapter Autor Molecular Beam Epitaxy: From Research To Production -
2012
Titel Tuning of mid-infrared emission of ternary PbSrTe/CdTe quantum dots DOI 10.1063/1.3694286 Typ Journal Article Autor Hochreiner A Journal Applied Physics Letters Seiten 113112 -
2012
Titel Temperature dependent band offsets in PbSe/PbEuSe quantum well heterostructures DOI 10.1063/1.4759145 Typ Journal Article Autor Simma M Journal Applied Physics Letters Seiten 172106 Link Publikation -
2011
Titel Midinfrared electroluminescence from PbTe/CdTe quantum dot light-emitting diodes DOI 10.1063/1.3531760 Typ Journal Article Autor Hochreiner A Journal Applied Physics Letters Seiten 021106 -
2010
Titel Near room temperature continuous-wave laser operation from type-I interband transitions at wavelengths beyond 4 µm DOI 10.1063/1.3478834 Typ Journal Article Autor Eibelhuber M Journal Applied Physics Letters Seiten 061103 -
2010
Titel Phase separation and exchange biasing in the ferromagnetic IV-VI semiconductor Ge1-xMnxTe DOI 10.1063/1.3459149 Typ Journal Article Autor Lechner R Journal Applied Physics Letters Seiten 023101 Link Publikation -
2009
Titel PbTe and SnTe quantum dot precipitates in a CdTe matrix fabricated by ion implantation DOI 10.1063/1.3204499 Typ Journal Article Autor Kaufmann E Journal Journal of Applied Physics Seiten 043105 -
2009
Titel Kinetic Monte Carlo simulation of self-organized growth of PbSe/PbEuTe quantum dot multilayers DOI 10.1103/physrevb.80.045325 Typ Journal Article Autor Mixa M Journal Physical Review B Seiten 045325