Schaltkreisartige Simulation des Quanten Elektron Transports
Circuit type Simulations of the Quantum Electron Transport
Wissenschaftsdisziplinen
Informatik (10%); Physik, Astronomie (90%)
Keywords
-
Network Model,
Landauer-Büttiker formalism,
Quantum Hall Effect,
Numerical Simulations,
Magneto-Transport,
Quantum Transport
Die Quantennatur und die quantenphysikalischen Eigenschaften von Elektronen gehören zu den wichtigsten Gesichtspunkten bei der Erforschung von elektronischen Nanostrukturen. Um von der Grundlagenforschung zu einer Umsetzung in Quanten-Bauelementen (Stichwort: Quanten-Computer) zu kommen, ist aber noch ein viel tieferes Verständnis der elektrischen Quantentransportphänomene notwendig. Zusätzlich sind dafür auch flexibel einsetzbare Simulationsmodelle für Bauteile mit realistischen Strukturen notwendig. Der Quanten Hall Effekt ist einer der bekanntesten Effekte, in den viele Aspekte der Quantenphysik involviert sind. Daher können wichtige Aspekte des Quanten Elektronen Transportes anhand des Quanten Halleffektes auf sehr fundamentalem Niveau untersucht werden. Die Bedeutung dieses Effektes in der physikalischen Grundlagenforschung kann auch daran ermessen werden, dass zwei Nobelpreise für Physik in Zusammenhang mit der Erforschung dieses Effektes vergeben wurden. Aber selbst heute, mehr als 20 Jahre nach dessen Entdeckung, gibt es immer noch kontroverse Diskussionen über dessen Ursachen, was einmal mehr die Wichtigkeit der Erforschung dieses Effektes unterstreicht. Bereits in der näheren Vergangenheit ist es uns gelungen, ein Model auf Basis eines Netzwerkes zur Simulation von Quanten Hall Effekt Experimenten zu entwickeln. Es ist zurzeit das weltweit erste und einzige Modell dieser Art, welches es ermöglicht, Simulationsergebnisse für realistische Probenstrukturen zu erhalten, die nahezu perfekt mit den experimentellen Daten übereinstimmen. Einerseits betrachten wir unser Modell als ein Werkzeug für einen alternativen Zugang zu noch offenen Fragen des Quanten Hall Effekts, andererseits sehen wir auch eine große Chance, unseren Modellansatz auch für andere Forschungszweige betreffend elektrischen Transport, inklusive klassischer Stromtransport, anzuwenden. Da bei künftigen, auf Quanteneffekten aufbauenden Bauelementgenerationen immer auch der klassische Elektronentransport eine Rolle spielen wird, sehen wir unser Modell als mögliche Grundlage für eine allumfassende Bauteilsimulation, die den klassischen und den Quantentransport mit einschließt.
Die Quantennatur und die quantenphysikalischen Eigenschaften von Elektronen gehören zu den wichtigsten Gesichtspunkten bei der Erforschung von elektronischen Nanostrukturen. Um von der Grundlagenforschung zu einer Umsetzung in Quanten-Bauelementen (Stichwort: Quanten-Computer) zu kommen, ist aber noch ein viel tieferes Verständnis der elektrischen Quantentransportphänomene notwendig. Zusätzlich sind dafür auch flexibel einsetzbare Simulationsmodelle für Bauteile mit realistischen Strukturen notwendig. Der Quanten Hall Effekt ist einer der bekanntesten Effekte, in den viele Aspekte der Quantenphysik involviert sind. Daher können wichtige Aspekte des Quanten Elektronen Transportes anhand des Quanten Halleffektes auf sehr fundamentalem Niveau untersucht werden. Die Bedeutung dieses Effektes in der physikalischen Grundlagenforschung kann auch daran ermessen werden, dass zwei Nobelpreise für Physik in Zusammenhang mit der Erforschung dieses Effektes vergeben wurden. Aber selbst heute, mehr als 20 Jahre nach dessen Entdeckung, gibt es immer noch kontroverse Diskussionen über dessen Ursachen, was einmal mehr die Wichtigkeit der Erforschung dieses Effektes unterstreicht. Bereits in der näheren Vergangenheit ist es uns gelungen, ein Model auf Basis eines Netzwerkes zur Simulation von Quanten Hall Effekt Experimenten zu entwickeln. Es ist zurzeit das weltweit erste und einzige Modell dieser Art, welches es ermöglicht, Simulationsergebnisse für realistische Probenstrukturen zu erhalten, die nahezu perfekt mit den experimentellen Daten übereinstimmen. Einerseits betrachten wir unser Modell als ein Werkzeug für einen alternativen Zugang zu noch offenen Fragen des Quanten Hall Effekts, andererseits sehen wir auch eine große Chance, unseren Modellansatz auch für andere Forschungszweige betreffend elektrischen Transport, inklusive klassischer Stromtransport, anzuwenden. Da bei künftigen, auf Quanteneffekten aufbauenden Bauelementgenerationen immer auch der klassische Elektronentransport eine Rolle spielen wird, sehen wir unser Modell als mögliche Grundlage für eine allumfassende Bauteilsimulation, die den klassischen und den Quantentransport mit einschließt.
- Montanuniversität Leoben - 100%
- Yuichi Ochiai, Chiba University - Japan
- Susumu Komiyama, The University of Tokyo - Japan
- Ramesh Mani, Georgia State University - Vereinigte Staaten von Amerika
Research Output
- 36 Zitationen
- 6 Publikationen
-
2017
Titel Manifestation of many-body interactions in the integer quantum Hall effect regime DOI 10.1103/physrevb.96.125128 Typ Journal Article Autor Oswald J Journal Physical Review B Seiten 125128 Link Publikation -
2017
Titel Exchange-mediated dynamic screening in the integer quantum Hall effect regime DOI 10.1209/0295-5075/117/57009 Typ Journal Article Autor Oswald J Journal Europhysics Letters Seiten 57009 Link Publikation -
2012
Titel Microscopic details of the integer quantum Hall effect in an anti-Hall bar DOI 10.1103/physrevb.86.045304 Typ Journal Article Autor Uiberacker C Journal Physical Review B Seiten 045304 Link Publikation -
2010
Titel Gate controlled narrowing of the quantum Hall effect plateau transitions DOI 10.1088/1742-6596/200/1/012153 Typ Journal Article Autor Oswald J Journal Journal of Physics: Conference Series Seiten 012153 Link Publikation -
2009
Titel Systematic study of nonideal contacts in integer quantum Hall systems DOI 10.1103/physrevb.80.235331 Typ Journal Article Autor Uiberacker C Journal Physical Review B Seiten 235331 Link Publikation -
2010
Titel Gate Controlled Separation of Edge and Bulk Current Transport in the Quantum Hall Effect Regime DOI 10.1007/s10909-009-0118-2 Typ Journal Article Autor Oswald J Journal Journal of Low Temperature Physics Seiten 180-183