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Modelierung und Simulation von organischen Halbleitern

Modeling and Simulation of Organic Semiconductors

Hans Kosina (ORCID: 0000-0003-1616-4942)
  • Grant-DOI 10.55776/P16862
  • Förderprogramm Einzelprojekte
  • Status beendet
  • Projektbeginn 01.01.2004
  • Projektende 23.11.2007
  • Bewilligungssumme 231.021 €
  • Projekt-Website

Wissenschaftsdisziplinen

Elektrotechnik, Elektronik, Informationstechnik (60%); Informatik (40%)

Keywords

    Organic Tranistors, Luminescence, Device Modeling, Device/Circuit Simulation

Abstract Endbericht

Im Laufe der letzten Jahre wurden signifikante Fortschritte auf dem Gebiet der organischen Halbleiterbauelemente erzielt. Mittlerweile sind bereits die ersten Produkte wie Displays für Autoradios auf dem Markt, und andere attraktive Produkte wie Aktivmatrixdisplays, Smart Cards, elektronische Preisetiketten werden demnächst erwartet. Das Ziel des Projektes ist die Integration von numerischen Modellen für diese neue Klasse von Bauelementen in eine State-of-the-Art TCAD Simulationsumgebung, konkret den Bauelementesimulator MINIMOS-NT. Spezielles Augenmerk wird auf die geeignete Modellierung der Verteilung der Ladungsträgerdichte, die eher von Gaussscher Gestalt ist als parabolisch, der Temperaturabhängigkeit der Beweglichkeit und die nicht kontinuierlichen Bandkanten gelegt. Weiters ist die Entwicklung eines Monte Carlo Moduls vorgesehen. Dieses wird als Referenz dienen und die, für die Kalibrierung der Modelle notwendigen, Daten bereitstellen. In einer späteren Phase des Projektes werden bestehende 1-D Modelle für Lichtemission auf 2-D erweitert und in den Bauelementesimulator integriert werden.

Im Laufe der letzten Jahre wurden signifikante Fortschritte auf dem Gebiet der organischen Halbleiterbauelemente erzielt. Mittlerweile sind bereits die ersten Produkte wie Displays für Autoradios auf dem Markt, und andere attraktive Produkte wie Aktivmatrixdisplays, Smart Cards, elektronische Preisetiketten werden demnächst erwartet. Das Ziel des Projektes ist die Integration von numerischen Modellen für diese neue Klasse von Bauelementen in eine State-of-the-Art TCAD Simulationsumgebung, konkret den Bauelementesimulator MINIMOS-NT. Spezielles Augenmerk wird auf die geeignete Modellierung der Verteilung der Ladungsträgerdichte, die eher von Gauss`scher Gestalt ist als parabolisch, der Temperaturabhängigkeit der Beweglichkeit und die nicht kontinuierlichen Bandkanten gelegt. Weiters ist die Entwicklung eines Monte Carlo Moduls vorgesehen. Dieses wird als Referenz dienen und die, für die Kalibrierung der Modelle notwendigen, Daten bereitstellen. In einer späteren Phase des Projektes werden bestehende 1-D Modelle für Lichtemission auf 2-D erweitert und in den Bauelementesimulator integriert werden.

Forschungsstätte(n)
  • Technische Universität Wien - 100%

Research Output

  • 149 Zitationen
  • 9 Publikationen
Publikationen
  • 2009
    Titel Einstein relation in hopping transport of organic semiconductors
    DOI 10.1063/1.3159654
    Typ Journal Article
    Autor Li L
    Journal Journal of Applied Physics
    Seiten 013714
  • 2008
    Titel Transport energy in organic semiconductors with partially filled localized states
    DOI 10.1063/1.2829863
    Typ Journal Article
    Autor Li L
    Journal Applied Physics Letters
    Seiten 013307
  • 2007
    Titel Carrier concentration dependence of the mobility in organic semiconductors
    DOI 10.1016/j.synthmet.2007.03.002
    Typ Journal Article
    Autor Li L
    Journal Synthetic Metals
    Seiten 243-246
  • 2007
    Titel Diffusion-controlled charge injection model for organic light-emitting diodes
    DOI 10.1063/1.2801702
    Typ Journal Article
    Autor Li L
    Journal Applied Physics Letters
    Seiten 172111
  • 2007
    Titel Temperature and field-dependence of hopping conduction in organic semiconductors
    DOI 10.1016/j.mejo.2006.09.022
    Typ Journal Article
    Autor Li L
    Journal Microelectronics Journal
    Seiten 47-51
  • 2007
    Titel Analytical conductivity model for doped organic semiconductors
    DOI 10.1063/1.2472282
    Typ Journal Article
    Autor Li L
    Journal Journal of Applied Physics
    Seiten 033716
  • 2007
    Titel Influence of traps on charge transport in organic semiconductors
    DOI 10.1016/j.sse.2007.01.024
    Typ Journal Article
    Autor Li L
    Journal Solid-State Electronics
    Seiten 445-448
  • 2006
    Titel Doping Dependent Conductivity in Organic Semiconductors
    DOI 10.1109/sispad.2006.282872
    Typ Conference Proceeding Abstract
    Autor Li L
    Seiten 204-207
  • 2005
    Titel An Analytical Model for Organic Thin Film Transistors
    DOI 10.1109/edssc.2005.1635337
    Typ Conference Proceeding Abstract
    Autor Li L
    Seiten 571-574

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