Modelierung und Simulation von organischen Halbleitern
Modeling and Simulation of Organic Semiconductors
Wissenschaftsdisziplinen
Elektrotechnik, Elektronik, Informationstechnik (60%); Informatik (40%)
Keywords
-
Organic Tranistors,
Luminescence,
Device Modeling,
Device/Circuit Simulation
Im Laufe der letzten Jahre wurden signifikante Fortschritte auf dem Gebiet der organischen Halbleiterbauelemente erzielt. Mittlerweile sind bereits die ersten Produkte wie Displays für Autoradios auf dem Markt, und andere attraktive Produkte wie Aktivmatrixdisplays, Smart Cards, elektronische Preisetiketten werden demnächst erwartet. Das Ziel des Projektes ist die Integration von numerischen Modellen für diese neue Klasse von Bauelementen in eine State-of-the-Art TCAD Simulationsumgebung, konkret den Bauelementesimulator MINIMOS-NT. Spezielles Augenmerk wird auf die geeignete Modellierung der Verteilung der Ladungsträgerdichte, die eher von Gaussscher Gestalt ist als parabolisch, der Temperaturabhängigkeit der Beweglichkeit und die nicht kontinuierlichen Bandkanten gelegt. Weiters ist die Entwicklung eines Monte Carlo Moduls vorgesehen. Dieses wird als Referenz dienen und die, für die Kalibrierung der Modelle notwendigen, Daten bereitstellen. In einer späteren Phase des Projektes werden bestehende 1-D Modelle für Lichtemission auf 2-D erweitert und in den Bauelementesimulator integriert werden.
Im Laufe der letzten Jahre wurden signifikante Fortschritte auf dem Gebiet der organischen Halbleiterbauelemente erzielt. Mittlerweile sind bereits die ersten Produkte wie Displays für Autoradios auf dem Markt, und andere attraktive Produkte wie Aktivmatrixdisplays, Smart Cards, elektronische Preisetiketten werden demnächst erwartet. Das Ziel des Projektes ist die Integration von numerischen Modellen für diese neue Klasse von Bauelementen in eine State-of-the-Art TCAD Simulationsumgebung, konkret den Bauelementesimulator MINIMOS-NT. Spezielles Augenmerk wird auf die geeignete Modellierung der Verteilung der Ladungsträgerdichte, die eher von Gauss`scher Gestalt ist als parabolisch, der Temperaturabhängigkeit der Beweglichkeit und die nicht kontinuierlichen Bandkanten gelegt. Weiters ist die Entwicklung eines Monte Carlo Moduls vorgesehen. Dieses wird als Referenz dienen und die, für die Kalibrierung der Modelle notwendigen, Daten bereitstellen. In einer späteren Phase des Projektes werden bestehende 1-D Modelle für Lichtemission auf 2-D erweitert und in den Bauelementesimulator integriert werden.
- Technische Universität Wien - 100%
Research Output
- 149 Zitationen
- 9 Publikationen
-
2009
Titel Einstein relation in hopping transport of organic semiconductors DOI 10.1063/1.3159654 Typ Journal Article Autor Li L Journal Journal of Applied Physics Seiten 013714 -
2008
Titel Transport energy in organic semiconductors with partially filled localized states DOI 10.1063/1.2829863 Typ Journal Article Autor Li L Journal Applied Physics Letters Seiten 013307 -
2007
Titel Carrier concentration dependence of the mobility in organic semiconductors DOI 10.1016/j.synthmet.2007.03.002 Typ Journal Article Autor Li L Journal Synthetic Metals Seiten 243-246 -
2007
Titel Diffusion-controlled charge injection model for organic light-emitting diodes DOI 10.1063/1.2801702 Typ Journal Article Autor Li L Journal Applied Physics Letters Seiten 172111 -
2007
Titel Temperature and field-dependence of hopping conduction in organic semiconductors DOI 10.1016/j.mejo.2006.09.022 Typ Journal Article Autor Li L Journal Microelectronics Journal Seiten 47-51 -
2007
Titel Analytical conductivity model for doped organic semiconductors DOI 10.1063/1.2472282 Typ Journal Article Autor Li L Journal Journal of Applied Physics Seiten 033716 -
2007
Titel Influence of traps on charge transport in organic semiconductors DOI 10.1016/j.sse.2007.01.024 Typ Journal Article Autor Li L Journal Solid-State Electronics Seiten 445-448 -
2006
Titel Doping Dependent Conductivity in Organic Semiconductors DOI 10.1109/sispad.2006.282872 Typ Conference Proceeding Abstract Autor Li L Seiten 204-207 -
2005
Titel An Analytical Model for Organic Thin Film Transistors DOI 10.1109/edssc.2005.1635337 Typ Conference Proceeding Abstract Autor Li L Seiten 571-574