Numerische Simulationsverfahren für Bauelemente und Schaltungen im THz-Bereich
Numerical Simulation of Semiconductor Devices and Circuits for THz Applications
DACH: Österreich - Deutschland - Schweiz
Wissenschaftsdisziplinen
Elektrotechnik, Elektronik, Informationstechnik (100%)
Keywords
-
THz devices and circuits,
Coupled circuit/device simulation,
Plasma oscillations,
Numerical simulation tools
Elektromagnetische Wellen im Frequenzbereich von 0.1 bis 10 THz werden als THz-Wellen bezeichnet. Sie sind schwer zu generieren, da ihre Frequenzen beim derzeitigen Stand der Technik einerseits zu hoch für die Erzeugung durch Halbleiterbauelemente und andererseits zu niedrig für optische Generatoren sind. Verfügbare Generatoren extrahieren die dritte harmonische Frequenz eines Oszillators, so dass die Leistungseffizienz extrem niedrig ist. Daher wurden neuartige Halbleiterbauelemente vorgeschlagen, die auf Plasmawellen in dünnen Schichten, d.h. quasi-2D Elektronengasen, beruhen, bei denen das THz-Signal unmittelbar im Bauelement erzeugt wird. Da die Dispersionsbeziehung der Plasmawellen, ihre Instabilitäten und die erzielbare Verstärkung von der Struktur, der Permittivität des Materials, der Dimension des Elektronengases (1D bzw. 2D) und dessen Dichte usw. abhängen, stehen zum Entwurf solcher Bauelemente viele Freiheitsgrade zur Verfügung. Daher überrascht es nicht, dass sehr unterschiedliche Konzepte für neuartige Bauelemente vorgeschlagen wurden, die jedoch bisher nicht realisiert worden sind. Bisherige Simulationsverfahren beruhen auf vereinfachten eindimensionalen Leitungsmodellen. Für die genaue Vorhersage der Leistungsfähigkeit der vorgeschlagenen Bauelemente werden jedoch Simulationsverfahren jenseits dieses 1D-Ansatzes benötigt. Die Standardmodelle für den Elektronen-/Löchertransport, basierend auf der Euler-Gleichung, müssen zur Beschreibung des Ladungstransports im THz-Bereich verallgemeinert werden, beispielsweise durch einen Konvektionsterm oder Momente höherer Ordnung (hydrodynamisches Modell). Das erfordert neben der Modellierung auch die Entwicklung neuartiger numerischer Verfahren, wie eine Verallgemeinerung der Scharfetter-Gummel Stabilisierung, numerische Integrationsverfahren für THz-Oszillationen, z.B. trigonometrische Spline-Wavelet-Verfahren, sowie iterative lineare und nichtlineare Gleichungslöser für sehr große Systeme. Ein solches Bauelement zur Erzeugung von THz-Oszillationen muss innerhalb einer Schaltungsumgebung simuliert werden, da die auskoppelbare Signalleistung von der externen Beschaltung der Anschlüsse abhängt und zu optimieren ist. Aufgrund der Nichtlinearität der Schaltung, muss jede individuelle Konfiguration simuliert werden. Daher ist eine gekoppelte Bauelement-/Schaltungssimulation zur Untersuchung des nichtlinearen Verhaltens und zur Bestimmung der abgegebenen Leistung erforderlich.
Ziel des Projekts war es, auf der Basis erweiterter Drift-Diffusions-Modelle, eine Plattform zur Untersuchung von Plasma-Instabilitäten als Mittel zur effizienten Erzeugung von THz-Wellen zu entwickeln und darüber hinaus die Auswirkungen von Plasmaoszillationen auf die Leistung von THz-Schaltkreisen zu untersuchen. Da die klassischen Drift-Diffusions-Gleichungen zur Modellierung von Halbleitern parabolisch sind, mussten erweiterte, hyperbolische Modelle betrachtet werden, um Plasmaoszillationen im Bauelement zu simulieren. Trotz anfänglich nicht vorhersehbarer, grundlegender Probleme entwickelten wir schließlich einen Bauelementsimulator basierend auf einem erweiterten Drift-Diffusions-Modells. Die numerische Stabilisierung dieses Transportmodells erwies sich als äußerst anspruchsvoll, und eine Anpassung der Scharfetter-Gummel-Diskretisierung zur Stabilisierung an das erweiterte Modell erwies sich als unmöglich. Die Untersuchung verschiedener potentieller Ansätze, die neue Erkenntnisse bei der Simulation von THz-Schwingungen brachten, führte zur Entwicklung einer effizienten Methode, mit der wir eine passive Mischerschaltung zur THz-Wellendetektion simulieren konnten. Ein geplantes Simulationsverfahren für das zweidimensionale Problem wird derzeit implementiert. Parallel zur Entwicklung des Stabilisierungsschemas für das Drift-Diffusions-Modell untersuchten wir die Modellierung von Plasmawellen mittels Boltzmann-Transportgleichung und daraus abgeleiteten Transportmodellen höherer Ordnung. Diese Untersuchungen zeigten zum einen, dass sogar die Boltzmann-Gleichung, diskretisiert mit der üblichen geraden/ungeraden Aufspaltung unter den für die Dyakonov-Shur-Instabilität erforderlichen quasi-ballistischen Bedingungen unbrauchbar ist. Unter Verwendung unserer ersten Methode für das erweiterte Drift-Diffusions-Modell konnten wir die Boltzmann-Gleichung direkt im Phasenraum diskretisieren, was prinzipiell Godunovs Ansatz entspricht. Dieses neue Schema ist auch im ballistischen Fall stabil, arbeitet mit realistischen Randbedingungen, ist effizient und ermöglicht die einfache Integration komplexerer Bandstrukturen und Streumodelle. Erste transiente Großsignalsignal-Simulationen für einen Nanodraht-Transistor nach dieser Methode wurden durchgeführt. Eine Anwendung des Stabilisierungsschemas für das derzeit in der Entwicklung befindliche 2D-Drift-Diffusions-Modell für die Boltzmann-Gleichung wird ebenfalls untersucht. Als weiteres Ergebnis stellte sich heraus, dass die Dyakonov-Shur-Instabilität anscheinend ein Artefakt der Transport- und Kontaktmodellierung ist. Für die Boltzmann-Gleichung mit realistischen Randbedingungen kann die Dyakonov-Shur-Instabilität nicht mehr nachgewiesen werden. Der Einfluss von Plasmaresonanzen auf das Verhalten von THz-Bauelementen ist also viel schwächer als bisher angenommen, und die Erzeugung von THz-Wellen mit den untersuchten Bauelementen dürfte unmöglich sein. Das klassische Drift-Diffusions-Modell ohne konvektive Ableitung und zweite Zeitableitung, stabilisiert durch das Scharfetter-Gummel-Schema (SGS), liefert für die Dichten ausschließlich positive Lösungen. Dies sollte eine grundlegende Eigenschaft aller Transportmodelle sein, da Dichten per Definition positiv sind. Um diese Eigenschaft besser zu verstehen, haben wir das klassische Drift-Diffusions-Modell in Verbindung mit dem SGS erneut untersucht und konnten diese Eigenschaft auch für den zeitabhängigen Fall bestätigen. Erste Ergebnisse für das neue Diskretisierungsverfahren der Boltzmann-Gleichung legen nahe, dass sie ebenfalls diese Eigenschaft der Positivität besitzt. Eine Schnittstelle zur Kopplung eines Bauelement-/Feld-Simulators und eines Schaltungssimulators wurde entwickelt, die neben der eigentlichen Simulation auch die Bestimmung von Anfangswerten und die strukturierte Ausgabe der Ergebnisse ermöglicht. Mittels dieser Schnittstelle konnten neue THz-Bauelemente, basierend auf Feldmodellen, eingebettet in eine größere Schaltung, erfolgreich getestet werden.
- FH Oberösterreich - 100%
- Christoph Jungemann, RWTH Aachen - Deutschland
Research Output
- 29 Zitationen
- 9 Publikationen
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0
Titel A Maximum Principle for Drift-Diffusion Equations and the Scharfetter-Gummel Discretization; In: Scientific Computing in Electrical Engineering 2020 Typ Book Chapter Autor Bittner Verlag Springer -
2019
Titel Simulation of plasma waves in III-V devices based on the Boltzmann equation Typ Other Autor Z. Kargar Link Publikation -
2019
Titel On the Simulation of Plasma Waves in HEMTs and the Dyakonov-Shur Instability DOI 10.1109/sispad.2019.8870401 Typ Conference Proceeding Abstract Autor Jungemann C Seiten 1-4 -
2018
Titel Investigation of the Dyakonov–Shur instability for THz wave generation based on the Boltzmann transport equation DOI 10.1088/1361-6641/aad956 Typ Journal Article Autor Kargar Z Journal Semiconductor Science and Technology Seiten 104001 -
2020
Titel A numerical approach to quasi-ballistic transport and plasma oscillations in junctionless nanowire transistors DOI 10.1007/s10825-020-01488-4 Typ Journal Article Autor Noei M Journal Journal of Computational Electronics Seiten 975-986 Link Publikation -
2018
Titel Investigation of moments-based transport models applied to plasma waves and the Dyakonov–Shur instability DOI 10.1088/1361-6641/aaf27a Typ Journal Article Autor Linn T Journal Semiconductor Science and Technology Seiten 014002 -
2020
Titel Deterministic simulation of junctionless nanowire field effect transistors Typ Other Autor M. Noei Link Publikation -
2020
Titel Simulation of THz Oscillations in Semiconductor Devices Based on Balance Equations DOI 10.18154/rwth-2020-10157 Typ Other Autor Bittner K Link Publikation -
2020
Titel Simulation of THz Oscillations in Semiconductor Devices Based on Balance Equations DOI 10.1007/s10915-020-01311-z Typ Journal Article Autor Linn T Journal Journal of Scientific Computing Seiten 6 Link Publikation