SPAD-basierte faser-optische CMOS Empfänger
SPAD-based fiber optical CMOS receivers
Wissenschaftsdisziplinen
Elektrotechnik, Elektronik, Informationstechnik (70%); Physik, Astronomie (30%)
Keywords
-
Single-Photon Avalanche Diode,
SPAD model,
Optical Receiver,
Optoelectronic Integrated Circuit
Herkömmliche, analoge optische CMOS Empfänger benötigen aufgrund des thermischen Rauschens eine relativ hohe optische Eingangsleistung. Diese entspricht bei 1Gbit/s oft über 10.000 Photonen pro Bit während die Photonenstatistik die physikalische Grenze von im Mittel lediglich einigen zehn Photonen setzt. Ihre elektrische Leistungsaufnahme ist groß und sie belegen eine große Chip-Fläche. In rein elektronisch integrierten Schaltungen wurden hingegen bereits viele analoge Schaltungsblöcke durch digitale Signalverarbeitung ersetzt. In optoelektronisch integrierten ICs ermöglichen es Single-Photon Avalanche Dioden (SPADs) aufgrund ihrer sehr hohen Verstärkung, digitale optische Empfänger zu realisieren. Es ist jedoch nicht so, dass jedes Photon von diesen SPADs detektiert wird so wie man es wegen des Namens erwarten könnte. Vielmehr besitzen die bisher in CMOS integrierten P+/N-Wannen SPADs eine dünne Absorptions- und Multiplikationszone und erreichen daher nur eine Photonendetektionswahrscheinlichkeit (PDW) von teilweise unter 25% (vor allem für rotes und nah-infrarotes Licht), d. h. es sind im Durchschnitt 4 Photonen notwendig, damit eines eine riesige Lawinenentladung erzeugt, die eine digitale Schaltung triggern kann. Hier setzt das Projekt an, das innovative SPADs für Datenraten von bis zu 1Gbit/s untersucht, deren PDW bis zu 90% erreichen soll. Diese SPADs, die das Prinzip diskreter Avalanche Fotodioden mit dicker Absorptionszone und separater Multiplikationszone nutzen, können erstmals zusammen mit Schaltungen in Hochvolt-CMOS Technologien integriert werden. Diese neuartigen SPADs besitzen ferner eine wesentlich kleinere Kapazität und werden damit die Avalanche Ladung und das Afterpulsing erheblich reduzieren. Um brauchbare digitale optische Empfänger erhalten zu können, müssen die SPADs auf ihre Dunkelzählraten, Afterpulsing und optisches Übersprechen untersucht und Empfangsfehler durch die Verwendung mehrerer SPADs im Empfänger ausgeschlossen werden. Die nötige Anzahl der SPADs und das erreichbare Bitfehlerverhältnis als Funktion der optischen Eingangsleistung werden im Projekt untersucht. Ferner werden verbesserte Trigger-Schaltungen mit erheblich reduzierter Trigger-Schwelle und schnelle Quenching Schaltungen untersucht ebenfalls mit dem Ziel, die Avalanche Ladung und das Afterpulsing zu minimieren. Zudem werden hochfrequente Gating-Schaltungen getestet, um höhere Datenraten von bis zu 1Gbit/s zu erzielen. Ein umfassendes Modell für die SPADs und ihr Bitfehlerverhältnis wird erstellt. Testdetektoren und -empfängerschaltungen werden im Application Specific Integrated Circuit (ASIC) Verfahren hergestellt, um die innovativen Ansätze digitaler SPAD optischer Empfänger experimentell zu verifizieren. Billige hochdatenratige LEDs mit großem Extinktionsverhältnis werden es ermöglichen, die für den fehlerarmen Empfang notwendige Eingangsleistung gegenüber analogen optischen Empfängern um mehr als einen Faktor von 100 zu reduzieren. Zusammenfassend werden innovative SPADs und neuartige, kleinflächige und stromsparende digitale SPAD-Empfängerschaltungen untersucht, um die Realisierbarkeit einer neuen Generation robuster optischer Empfänger und Sensoren mit erheblich verbesserter Empfindlichkeit zu verifizieren.
Herkömmliche, analoge optische CMOS Empfänger benötigen aufgrund des thermischen Rauschens eine relativ hohe optische Eingangsleistung, um das übliche Bitfehlerverhältnis unter 10^-9 zu reduzieren. Diese entspricht bei 100Mbit/s oft über 20.000 Photonen pro Bit - während die Photonenstatistik die physikalische Grenze von im Mittel wenigen 10 Photonen setzt. Ihre elektrische Leistungsaufnahme ist groß und sie belegen eine große Chip-Fläche. In rein elektronisch integrierten Schaltungen wurden hingegen bereits viele analoge Schaltungsblöcke durch digitale Signalverarbeitung ersetzt. In optoelektronisch integrierten ICs ermöglichen es Single-Photon Avalanche Dioden (SPADs) aufgrund ihrer sehr hohen Verstärkung, eine Art digitale optische Empfänger zu realisieren. Es ist jedoch nicht so, dass jedes Photon von SPADs detektiert wird - so wie man es wegen des Namens erwarten könnte. Vielmehr besitzen die bisher in CMOS integrierten P+/N-Wannen SPADs eine dünne Absorptions- und Multiplikationszone und erreichen daher nur eine Photonendetektionswahrscheinlichkeit (PDW) von teilweise unter 25% (vor allem für rotes und nah-infrarotes Licht), d. h. es sind im Durchschnitt 4 Photonen notwendig, damit eines eine riesige Lawinenentladung erzeugt, die eine digitale Schaltung triggern kann. Hier setzte das Projekt an, das innovative SPADs untersuchte, deren PDW bis zu 90% erreichen kann. Diese SPADs, die das Prinzip diskreter Avalanche Fotodioden mit dicker Absorptionszone und separater Multiplikationszone nutzen, können erstmals zusammen mit Schaltungen in CMOS Technologien integriert werden. Diese neuartigen SPADs besitzen ferner eine wesentlich kleinere Kapazität und reduzieren damit die Avalanche Ladung und das Afterpulsing erheblich. Um brauchbare digitale optische Empfänger zu erhalten, mussten die SPADs auf ihre Dunkelzählraten, Afterpulsing und optisches Übersprechen untersucht und Empfangsfehler durch die Verwendung mehrerer SPADs im Empfänger ausgeschlossen werden. Es müssen genügend viele SPADs sein, so dass diese parasitären Effekte nicht in allen SPADs gleichzeitig innerhalb eines Bits auftreten. Ein Lichtsignal muss hingegen in jeder SPAD eine Detektion auslösen. Die nötige Anzahl der SPADs und das erreichbare Bitfehlerverhältnis als Funktion der optischen Eingangsleistung wurde im Projekt untersucht. Ferner wurden verbesserte Trigger-Schaltungen mit erheblich reduzierter Trigger-Schwelle und schnelle Quenching Schaltungen untersucht - ebenfalls mit dem Ziel, die Avalanche Ladung und das Afterpulsing zu minimieren. Es wurden SPAD-Empfänger für Datenraten von bis zu 200Mbit/s realisiert. Ein Modell für die PDW und für das Bitfehlerverhältnis wurde erstellt. Testdetektoren und -empfängerschaltungen wurden im Application Specific Integrated Circuit (ASIC) Verfahren hergestellt, um die innovativen Ansätze digitaler optischer Empfänger experimentell zu verifizieren. Die für den fehlerfreien Empfang notwendige Eingangsleistung von SPAD-Empfängern gegenüber den für optische Empfänger mit Avalanche Photodioden im linearen Modus geltenden Abstand von ca. 20dB zum Quantenlimit wurde auf einen Abstand von 8dB reduziert. Zusammenfassend wurden innovative SPADs und neuartige, kleinflächige, stromsparende digitale Empfängerschaltungen untersucht, um die Realisierbarkeit einer neuen Generation robuster optischer Empfänger und Sensoren mit erheblich verbesserter Empfindlichkeit zu verifizieren.
- Technische Universität Wien - 100%
- Daniel Gäbler, X-FAB Semiconductor Foundries AG - Deutschland
- Wolfgang Einbrodt, X-FAB Semiconductor Foundries AG - Deutschland
- Niksa Tadic, University of Montenegro - Montenegro
- Edoardo Charbon, École polytechnique fédérale de Lausanne - Schweiz
- Conception Aldea, University of Zaragoza - Spanien
Research Output
- 275 Zitationen
- 26 Publikationen
- 1 Disseminationen
- 1 Wissenschaftliche Auszeichnungen
- 1 Weitere Förderungen
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2021
Titel Photon detection probability enhancement using an anti-reflection coating in CMOS-based SPADs. DOI 10.1364/ao.432219 Typ Journal Article Autor Kohneh Poushi S Journal Applied optics Seiten 7815-7820 -
2021
Titel Fully-integrated SPAD active quenching/resetting circuit in high-voltage 0.35-µ m CMOS for reaching PDP saturation at 650 nm DOI 10.1109/ddecs52668.2021.9417020 Typ Conference Proceeding Abstract Autor Dervic A Seiten 1-5 -
2020
Titel Integrated High Voltage Active Quenching Circuit in 150nm CMOS Technology DOI 10.1109/austrochip51129.2020.9232988 Typ Conference Proceeding Abstract Autor Jungwirth M Seiten 53-56 -
2020
Titel Comprehensive Modeling of Photon Detection Probability in CMOS-based SPADs DOI 10.1109/sensors47125.2020.9278771 Typ Conference Proceeding Abstract Autor Poushi S Seiten 1-4 -
2020
Titel Avalanche Transients of Thick 0.35 µm CMOS Single-Photon Avalanche Diodes DOI 10.3390/mi11090869 Typ Journal Article Autor Goll B Journal Micromachines Seiten 869 Link Publikation -
2021
Titel Optical and Electrical Characterization and Modeling of Photon Detection Probability in CMOS Single-Photon Avalanche Diodes DOI 10.1109/jsen.2021.3051365 Typ Journal Article Autor Mahmoudi H Journal IEEE Sensors Journal Seiten 7572-7580 -
2021
Titel Bit Error Performance of APD and SPAD Receivers in Optical Wireless Communication DOI 10.3390/electronics10222731 Typ Journal Article Autor Mahmoudi H Journal Electronics Seiten 2731 Link Publikation -
2022
Titel SPAD Mixed-Quenching Circuit in 0.35-µm CMOS for Achieving a PDP of 39.2% at 854 nm DOI 10.23919/mixdes55591.2022.9838232 Typ Conference Proceeding Abstract Autor Dervic A Seiten 116-119 -
2019
Titel APD and SPAD Receivers DOI 10.1109/contel.2019.8848547 Typ Conference Proceeding Abstract Autor Zimmermann H Seiten 1-5 -
2013
Titel Identification and characterization of meat allergens for improved diagnosis of meat allergy DOI 10.1186/2045-7022-3-s3-p174 Typ Journal Article Autor Klug C Journal Clinical and Translational Allergy Link Publikation -
2018
Titel Influence of On-Off Keying Duty Cycle on BER in Wireless Optical Communication Up to 75 Mbit/s Using an SPAD and a RC LED DOI 10.1109/cobcom.2018.8443988 Typ Conference Proceeding Abstract Autor Milovancev D Seiten 1-5 -
2018
Titel Visible light communication at 50 Mbit/s using a red LED and an SPAD receiver DOI 10.1109/csndsp.2018.8471890 Typ Conference Proceeding Abstract Autor Milovancev D Seiten 1-4 -
2018
Titel Temperature Dependence of Dark Count Rate and After Pulsing of a Single-Photon Avalanche Diode with an Integrated Active Quenching Circuit in 0.35 µm CMOS DOI 10.1155/2018/9585931 Typ Journal Article Autor Hofbauer M Journal Journal of Sensors Seiten 1-7 Link Publikation -
2018
Titel Transient Response of a $0.35\mu \mathrm{m}$ CMOS SPAD with Thick Absorption Zone DOI 10.1109/icecs.2018.8617999 Typ Conference Proceeding Abstract Autor Goll B Seiten 9-12 -
2018
Titel Statistical Study of Intrinsic Parasitics in an SPAD-Based Integrated Fiber Optical Receiver DOI 10.1109/ted.2018.2882344 Typ Journal Article Autor Mahmoudi H Journal IEEE Transactions on Electron Devices Seiten 497-504 -
2018
Titel Modeling and Analysis of BER Performance in a SPAD-Based Integrated Fiber Optical Receiver DOI 10.1109/jphot.2018.2875519 Typ Journal Article Autor Mahmoudi H Journal IEEE Photonics Journal Seiten 1-11 Link Publikation -
2018
Titel A Fully Integrated SPAD-Based CMOS Data-Receiver With a Sensitivity of -64 dBm at 20 Mb/s DOI 10.1109/lssc.2018.2794766 Typ Journal Article Autor Goll B Journal IEEE Solid-State Circuits Letters Seiten 2-5 -
2020
Titel Performance of high-voltage CMOS single-photon avalanche diodes with and without well-modulation technique DOI 10.1117/1.oe.59.4.040502 Typ Journal Article Autor Hofbauer M Journal Optical Engineering Seiten 040502-040502 -
2020
Titel Fully Integrated Actively Quenched SPAD in 0.18 µm CMOS Technology DOI 10.1109/austrochip51129.2020.9232991 Typ Conference Proceeding Abstract Autor Schneider-Hornstein K Seiten 62-65 -
2020
Titel Fully integrated optical receiver using single-photon avalanche diodes in high-voltage CMOS DOI 10.1117/1.oe.59.7.070502 Typ Journal Article Autor Hofbauer M Journal Optical Engineering Seiten 070502-070502 -
2018
Titel Fast Cascoded Quenching Circuit for Decreasing Afterpulsing Effects in 0.35- $\mu$ m CMOS DOI 10.1109/lssc.2018.2827881 Typ Journal Article Autor Enne R Journal IEEE Solid-State Circuits Letters Seiten 62-65 -
2018
Titel Single-Event Transients in a PIN Photodiode and a Single-Photon Avalanche Diode Integrated in 0.35µm CMOS DOI 10.1109/radecs45761.2018.9328700 Typ Conference Proceeding Abstract Autor Hofbauer M Seiten 1-5 -
2017
Titel Optimized silicon CMOS reach-through avalanche photodiode with 2.3-GHz bandwidth DOI 10.1117/1.oe.56.11.110501 Typ Journal Article Autor Steindl B Journal Optical Engineering Seiten 110501-110501 -
2017
Titel Single-Photon Avalanche Photodiode Based Fiber Optic Receiver for Up to 200 Mbs DOI 10.1109/jstqe.2017.2764682 Typ Journal Article Autor Steindl B Journal IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics Seiten 1-8 -
2017
Titel Optical Wireless Communication with Monolithic Avalanche Photodiode Receivers DOI 10.1109/ipcon.2017.8115989 Typ Conference Proceeding Abstract Autor Milovancev D Seiten 25-26 -
2017
Titel Integrated fiber optical receiver reducing the gap to the quantum limit DOI 10.1038/s41598-017-02870-2 Typ Journal Article Autor Zimmermann H Journal Scientific Reports Seiten 2652 Link Publikation
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2020
Titel Presentation on Int. SPAD Sensor Workshop Typ A talk or presentation
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2020
Titel Invited presentation Typ Personally asked as a key note speaker to a conference Bekanntheitsgrad Continental/International
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2019
Titel Bipolar Fiber Optical Receivers with SPADs Typ Other Förderbeginn 2019