Spin Eigenschaften von eingeschränkten Elektronen
Spin Properties of Confined Electrons in Semiconductors
Wissenschaftsdisziplinen
Nanotechnologie (30%); Physik, Astronomie (70%)
Keywords
-
Spin manipulation,
Spin-orbit interaction,
Spin decoherence,
Spin resonance
Wir haben kürzlich auf eine außerordentlich effiziente Möglichkeit hingewiesen, die Rotation von Spins (also des magnetischen Moments) von Elektronen in Silizium Quantentopfstrukturen anzuregen, und zwar über einen angelegten elektrischen Strom. Der zugrunde liegende Mechanismus ist das Strom-induzierte Bychkov-Rashba (BR) Feld, das von der Spin-Bahn Wechselwirkung in Systemen mit niedrigerer als Spiegelsymmetrie auftritt. Bei einseitig modulationsdotierten Si Quantentöpfen rührt das BR Feld vom elektrischen Feld der geladenen Donatoren her und verursacht auch Spin-Dekohärenz und -Relaxation, wie von uns gezeigt wurde. Das BR Feld verschiebt 1.) die Spin-Resonanz, wenn ein Gleichstrom angelegt wird und 2) verursacht Spin- Übergänge bei Strömen im Mikrowellenfrequenzbereich. Wir erwarten um Größenordnungen geringere Mikrowellenleistung als bei der üblichen magnetischen Dipolanregung, um denselben Effekt zu erzielen. Wir planen nun daher in diesem Projekt, diesen Effekt quantitative zu erfassen, ihn auszunützen, um Spin-Resonanz in Si Nanostrukturen zu untersuchen, und ihn auch bei anderen Materialien, wie GaN und Graphen, anzuwenden. Neben der Verwendung von Mikrowellenresonatoren planen wir auch, die Mikrowellen über eine Stripline - Geometrie der Probe zuzuführen, bzw. Mikroresonatoren aufzubauen. Die Spin-Resonanz soll auch elektrisch über die Niederfrequenzleitfähigkeit nachgewiesen werden um so die in Resonatoren limitierende Integralempfindlichkeit zu umgehen und damit auch Nanostrukturen, wie Quantendrähte, untersuchen zu können. Wir werden auch die Möglichkeit einer elektrischen Dipolanregung in Quantenpunkten untersuchen. Die Untersuchungen werden auch nach dem Spin-Echo Verfahren erfolgen, um Spin-Manipulation zu demonstrieren und um Dekohärenz- und Relaxation untersuchen zu können. Mit dieser neuen Anregungsmethode können wir ESR Untersuchungen auch auf tiefe Temperaturen und variable Frequenzen ausdehnen. Derartige Untersuchungen sind in konventionellen ESR Experimenten nur schwer durchführbar wegen des großen Resonators, der üblicherweise für eine einzige Frequenz konstruiert ist. Frequenzabhängige Untersuchungen im Übergangsbereich von kleinem zu großem ct sollen durchgeführt werden, um unsere Erklärung für die beobachtete Dyson-artige Linienform zu untermauern. Tieftemperaturexperimente werden benötigt, um den Effekt der Spin-Polarisation auf die sogenannte 0.7 Anomalie in der Leitfähigkeit von Quantendrähten und auch um die valley-orbit Resonanz in Si Quantenstrukturen untersuchen zu können.
Elektronen besitzen neben ihrer Ladung auch ein magnetisches Moment, bedingt durch ihren "Spin". Damit sind Elektronen auch so etwas wie die kleinste vorstellbare Kompassnadel. Aus quantenmechanischen Gründen kann sich diese nur parallel oder antiparallel zu einem Magnetfeld einstellen. Damit liegt es nahe, diese Eigenschaft für die Realisierung einer binären logischen Einheit, eines "bit`s" zu nützen. Ein Vorteil wäre, dass Elektronen nicht, wie üblich, zwischen zwei "Taschen" bewegt werden müssten, um den Wert zB von 0 auf 1 zu ändern, was Zeit und Energie erfordert. Das ist eins der Motive, weltweit über eine Spin-basierende Elektronik die "Spintronik"- nachzudenken. Es sind allerdings noch viele Probleme bis zur praktischen Realisierung solcher Bauelemente zu lösen. Eine der ersten Fragen ist, wie man den Spin effizient einstellen kann und wie lange die Information erhalten werden kann Fragen, die in diesem Projekt behandelt wurden. In der Elektronen-Spin-Resonanz wird der Spin durch ein Mikrowellenmagnetfeld manipuliert. Ein Ergebnis dieses Projektes ist, dass der Spin um Größenordnungen schneller und effizienter durch ein hoch-frequentes elektrisches Feld umgeklappt werden kann. Dieser Effekt resultiert aus dem sog. Rashba-Feld, das in Proben ohne Spiegelsymmetrie auftritt. Dort sind der Spin und die Geschwindigkeit nicht unabhängig: aus der Geschwindigkeit resultiert ein Drehmoment auf den Spin. Eine ähnliche Kopplung tritt für sich sehr schnell bewegende, "relativistische" freie Elektronen auf, was Erwin Schrödinger 1930 bereits kurz nach der Veröffentlichung der Dirac Gleichung diskutierte. Sein Schluss war, dass das kräftefrei fliegende relativistische Elektron eine hochfrequente "Zitterbewegung" senkrecht zu seiner Flugrichtung ausführt (worauf auch sein magnetisches Moment zurückgeführt wird). Die Frequenz dieser Bewegung ist aber so groß, die Amplitude so klein, dass eine direkte Beobachtung nicht möglich scheint. In diesem Projekt wird u.a. gezeigt, dass in asymmetrischen Halbleiterschichten eine ähnliche Kopplung auftritt, die Frequenz aber derart reduziert ist, dass ein Nachweis möglich wurde. In diesem Projekt wurde auch gezeigt, dass (1) Kohlenstoff-Nanoröhrchen bei tiefen Temperaturen ferromagnetisch (fm) werden unerwartet, da sie keine Metalle enthalten. Leitungselektronen verstärken diesen FM. Ferromagnetische Resonanz (2) wurde benützt um winzige fm Ausscheidungen nachzuweisen ein wichtiges Hilfsmittel auf der Suche nach fm Halbleitern. In einer Mischung eines fm- und eines ferroelektrischen Halbleiters, Ge1-x Mn x Te, wurde gefunden (3), dass eine ferroelektrische Verzerrung des Kristallgitters die Magnetisierungsrichtung verändern kann, und somit die Magntisierung durch Anlegen eines elektrischen Feldes manipuliert werden kann. Schließlich fanden wir eine verblüffend einfache Methode (4), um Nanokristalle mit nanometer-Genauigkeit auf einem Substrat zu positionieren. So konnten wir mit einem "Magnetkraftmikroskop" demonstrieren, dass ein Datenspeicher aus magnetischen Nanokristallen mit einer Kapazität von bis zu 10 Terrabit/inch2 aufgebaut werden kann.
- Universität Linz - 100%
- Saskia Fischer, Ruhr-Universität Bochum - Deutschland
- Zbyslaw Wilamowski, Polish Academy of Science - Polen
- Eugeniyus Ivchenko, Russian Academy of Sciences - Russland
- Stephen A. Lyon, Princeton University - Vereinigte Staaten von Amerika
- Douglas J. Paul, University of Glasgow - Vereinigtes Königreich
Research Output
- 361 Zitationen
- 22 Publikationen
-
2013
Titel Electron and hole deep levels related to Sb-mediated Ge quantum dots embedded in n-type Si, studied by deep level transient spectroscopy DOI 10.1063/1.4809595 Typ Journal Article Autor Rangel-Kuoppa V Journal Applied Physics Letters Seiten 232106 -
2012
Titel Origin of low-temperature magnetic ordering in Ga1-xMnxN DOI 10.1103/physrevb.85.205204 Typ Journal Article Autor Sawicki M Journal Physical Review B Seiten 205204 Link Publikation -
2012
Titel Ferromagnetic decoration in metal–semiconductor separated and ferrocene functionalized single-walled carbon nanotubes DOI 10.1002/pssb.201200452 Typ Journal Article Autor Chernov A Journal physica status solidi (b) Seiten 2323-2327 -
2014
Titel Magnetic-Field-Induced Ferroelectric Polarization Reversal in the Multiferroic Ge1-xMnxTe Semiconductor DOI 10.1103/physrevlett.112.047202 Typ Journal Article Autor Przybylinska H Journal Physical Review Letters Seiten 047202 -
2012
Titel Magnetic phase transition for defect induced electron spins from fully metal–semiconductor separated SWCNTs DOI 10.1002/pssb.201200426 Typ Journal Article Autor Havlicek M Journal physica status solidi (b) Seiten 2562-2567 -
2012
Titel Spin-orbit force due to Rashba coupling at the spin resonance condition DOI 10.1103/physrevb.86.245318 Typ Journal Article Autor Ungier W Journal Physical Review B Seiten 245318 -
2012
Titel Indirect exchange interaction in fully metal-semiconductor separated single-walled carbon nanotubes revealed by electron spin resonance DOI 10.1103/physrevb.86.045402 Typ Journal Article Autor Havlicek M Journal Physical Review B Seiten 045402 -
2012
Titel Synthesis of visible light emitting self assembled Ge nanocrystals embedded within a SiO2 matrix DOI 10.1063/1.3688023 Typ Journal Article Autor Hernández-Hernández A Journal Journal of Applied Physics Seiten 044327 -
2012
Titel Determination of conduction band offset between strained CdSe and ZnSe layers using deep level transient spectroscopy DOI 10.1063/1.4729764 Typ Journal Article Autor Rangel-Kuoppa V Journal Applied Physics Letters Seiten 252110 -
2011
Titel Magnetic anisotropy of epitaxial Fe1-xSix films on GaAs(001) DOI 10.1103/physrevb.84.054461 Typ Journal Article Autor Wegscheider M Journal Physical Review B Seiten 054461 -
2011
Titel Self-aligned fabrication of in-plane SiGe nanowires on rib-patterned Si (001) substrates DOI 10.1063/1.3608149 Typ Journal Article Autor Chen G Journal Applied Physics Letters Seiten 043103 -
2011
Titel Experimental probing of exchange interactions between localized spins in the dilute magnetic insulator (Ga,Mn)N DOI 10.1103/physrevb.84.035206 Typ Journal Article Autor Bonanni A Journal Physical Review B Seiten 035206 Link Publikation -
2010
Titel Ohmic contacts and n-type doping on TixCr2-xO3 films and the temperature dependence of their transport properties DOI 10.1016/j.tsf.2010.07.087 Typ Journal Article Autor Rangel-Kuoppa V Journal Thin Solid Films Seiten 453-456 -
2010
Titel Self-assembled Si0.80Ge0.20 nanoripples on Si(1 1 10) substrates DOI 10.1063/1.3358132 Typ Journal Article Autor Chen G Journal Applied Physics Letters Seiten 103107 -
2010
Titel Electron spin resonance from semiconductor–metal separated SWCNTs DOI 10.1002/pssb.201000317 Typ Journal Article Autor Havlicek M Journal physica status solidi (b) Seiten 2851-2854 -
2008
Titel Quantitative determination of Ge profiles across SiGe wetting layers on Si (001) DOI 10.1063/1.2988261 Typ Journal Article Autor Brehm M Journal Applied Physics Letters Seiten 121901 -
2008
Titel Ordering of Ge islands on hill-patterned Si (001) templates DOI 10.1063/1.2898522 Typ Journal Article Autor Chen G Journal Applied Physics Letters Seiten 113106 -
2016
Titel Valence band offset at the Si/SiSn interface by applying deep level transient spectroscopy DOI 10.1088/0957-4484/27/7/075705 Typ Journal Article Autor Rangel-Kuoppa V Journal Nanotechnology Seiten 075705 -
2010
Titel Damascene Process for Controlled Positioning of Magnetic Colloidal Nanocrystals DOI 10.1002/adma.200902884 Typ Journal Article Autor Chen G Journal Advanced Materials Seiten 1364-1368 -
2011
Titel EPR line shape and magnetometry—chances and pitfalls DOI 10.1088/0268-1242/26/6/064009 Typ Journal Article Autor Wilamowski Z Journal Semiconductor Science and Technology Seiten 064009 -
2011
Titel Photoreflectance study of GaMnAs layers grown by MBE DOI 10.1016/j.jcrysgro.2010.12.041 Typ Journal Article Autor Martínez-Velis I Journal Journal of Crystal Growth Seiten 344-347 -
2013
Titel Sb-mediated Ge quantum dots in Ti–oxide–Si diode: negative differential capacitance DOI 10.1088/1468-6996/14/3/035005 Typ Journal Article Autor Rangel-Kuoppa V Journal Science and Technology of Advanced Materials Seiten 035005 Link Publikation